对比图
型号 STB80N20M5 STB95N3LLH6 IRFS4227PBF
描述 200V,0.019Ω,65A,N沟道功率MOSFETN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.019 Ω 0.0037 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 70 W 330 W
阈值电压 5 V 1 V -
漏源极电压(Vds) 200 V 30 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 61A 80A 62.0 A
上升时间 31 ns 91 ns -
输入电容(Ciss) 4329pF @50V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 190 W - 330 W
下降时间 176 ns 23.4 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 190W (Tc) 70W (Tc) -
产品系列 - - IRFS4227
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.75 mm -
宽度 - 10.4 mm -
高度 - 4.6 mm -
材质 Silicon - -
工作温度 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -