对比图
型号 BSC190N15NS3GATMA1 FDMS86200
描述 INFINEON BSC190N15NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86200 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 150 V, 0.015 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 PG-TDSON-8 DualCool-56-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.016 Ω 0.015 Ω
耗散功率 125 W 104 W
阈值电压 3 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V
上升时间 53 ns 7.9 ns
输入电容(Ciss) 2420pF @75V(Vds) 2715pF @75V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 2.5 W
下降时间 6 ns 5.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
额定功率 125 W -
极性 N-Channel N-Channel
连续漏极电流(Ids) 50A 9.6A
长度 5.35 mm 5 mm
宽度 6.1 mm 6 mm
高度 1.1 mm 1.05 mm
封装 PG-TDSON-8 DualCool-56-8
材质 - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15