IPA50R399CP和IPP50R399CP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA50R399CP IPP50R399CP IPA50R350CP

描述 INFINEON  IPA50R399CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 550 V, 399 mohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 399 mΩ 0.399 Ω 0.35 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 83 W 83 W 32 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 550 V 560 V 550 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9.00 A 10.0 A

上升时间 14 ns 14 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 890pF @100V(Vds) 890pF @100V(Vds) -

下降时间 14 ns 14 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 83000 mW 83 W -

通道数 1 - 1

漏源击穿电压 - - 500 V

长度 10.65 mm 10.36 mm 10.65 mm

宽度 4.85 mm 4.57 mm 4.85 mm

高度 16.15 mm 15.95 mm 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

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