对比图
型号 STD60NF06T4 STD7NM60N IRFR2405TRPBF
描述 N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 56A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 56.0 A
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 45 W 110 W
产品系列 - - IRFR2405
漏源极电压(Vds) 60 V 600 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 60.0 A - 56.0 A
上升时间 108 ns 10 ns 130 ns
输入电容(Ciss) 1810pF @25V(Vds) 363pF @50V(Vds) 2430pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 45 W 110 W
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.014 Ω 0.84 Ω -
阈值电压 4 V 3 V -
输入电容 - 363 pF -
下降时间 20 ns 12 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 110W (Tc) 45W (Tc) -
漏源击穿电压 60.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.6 mm 6.6 mm -
宽度 6.2 mm 6.2 mm -
高度 2.4 mm 2.4 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -