对比图
型号 FQA19N20 STP80NF10 FDH44N50
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-247-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 150 mΩ 0.012 Ω 0.11 Ω
耗散功率 190 W 300 W 750 W
阈值电压 - 3 V 3.15 V
漏源极电压(Vds) 200 V 100 V 500 V
上升时间 190 ns 80 ns 84 ns
输入电容(Ciss) - 5500pF @25V(Vds) 5335pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 750 W
下降时间 80 ns 60 ns 79 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 750 W
极性 N-Channel N-Channel -
漏源击穿电压 200 V 100 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 23.0 A 80.0 A -
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 80.0 A -
额定功率 - 300 W -
通道数 - 1 -
输入电容 - 5500 pF -
长度 16.2 mm 10.4 mm 15.87 mm
宽度 5 mm 4.6 mm 4.82 mm
高度 20.1 mm 9.15 mm 20.82 mm
封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -