DTC123JET1G和PDTC123EE,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC123JET1G PDTC123EE,115 DTC123JET1

描述 NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NXP  PDTC123EE,115  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率, SOT-416DTC123JET1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 2.2k 47k 增益80 SOT-523 marking/标记 8M

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-75-3 SOT-416-3 SC-75-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 0.15 W 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 30 @20mA, 5V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 80

额定功率(Max) 200 mW 150 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW -

无卤素状态 Halogen Free - -

长度 1.65 mm - 1.6 mm

宽度 0.9 mm - 0.8 mm

高度 0.8 mm 0.85 mm 0.75 mm

封装 SC-75-3 SOT-416-3 SC-75-3

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 - -

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