对比图
型号 FDB047N10 PSMN5R0-100BS IPB038N12N3GATMA1
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。D2PAK N-CH 100V 120AInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB038N12N3GATMA1, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0039 Ω - 0.0032 Ω
耗散功率 375 W - 300 W
阈值电压 3.5 V - 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 120 V
上升时间 386 ns - 52 ns
输入电容(Ciss) 11500pF @25V(Vds) - 10400pF @60V(Vds)
额定功率(Max) 375 W - -
下降时间 244 ns - 21 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 375 W - 300 W
极性 - N-CH N-Channel
连续漏极电流(Ids) - 120A 120A
额定功率 - - 300 W
长度 10.67 mm - 10.31 mm
宽度 11.33 mm - 9.45 mm
高度 4.83 mm - 4.57 mm
封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 -
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17