对比图
型号 IRF2804SPBF IRF2804STRLPBF IRF1404SPBF
描述 INFINEON IRF2804SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRF2804STRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 160AINFINEON IRF1404SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 7 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 330 W 330 W 200 W
针脚数 3 7 3
漏源极电阻 0.002 Ω 1.2 mΩ 0.004 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 mW 330 W 200 W
阈值电压 4 V 20 V 4 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 270A 160 A 162A
上升时间 120 ns 120 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 6450pF @25V(Vds) 6450pF @25V(Vds) 7360pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 3.8 W
下降时间 130 ns 130 ns 26 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
通道数 1 - -
输入电容 6450pF @25V - -
漏源击穿电压 40 V - -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 9.25 mm 11.3 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17