MUN2137T1G和RN2202

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2137T1G RN2202 MUN5137DW1T1G

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorsMini PNP 50V 100mA双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 6

封装 SC-59 In-Line SC-88-6

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

耗散功率 338 mW - 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 338 mW - 385 mW

最小电流放大倍数(hFE) - - 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) - - 250 mW

封装 SC-59 In-Line SC-88-6

长度 - - 2 mm

宽度 - - 1.25 mm

高度 - - 0.9 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

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