对比图
型号 FQU2N60C RFD16N05 SPW20N60S5
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET16A ， 50V ， 0.047欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETsINFINEON SPW20N60S5. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-247-3
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) 600 V 50 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 1.9A 16.0 A 20.0 A
输入电容(Ciss) 235pF @25V(Vds) 900pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 72 W 208 W
额定电压(DC) - 50.0 V 650 V
额定电流 - 16.0 A 20.0 A
漏源极电阻 - 47.0 mΩ 0.19 Ω
耗散功率 - 72W (Tc) 208 W
漏源击穿电压 - 50.0 V -
耗散功率(Max) - 72W (Tc) 208 W
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 4.5 V
输入电容 - - 3.00 nF
栅电荷 - - 103 nC
上升时间 - - 25 ns
下降时间 - - 30 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-247-3
长度 - - 15.9 mm
宽度 - - 5.3 mm
高度 - - 20.95 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Design
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99