MMUN2236LT1G和MUN5241T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2236LT1G MUN5241T1G PDTC115EET/R

描述 SOT-23 NPN 50V 100mASC-70 NPN 50V 100mASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SC-70-3 -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 NPN NPN -

耗散功率 0.4 W 0.31 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 160 @5mA, 10V -

额定功率(Max) 246 mW 202 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 400 mW 310 mW -

封装 SOT-23-3 SC-70-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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