FQP33N10和FQPF32N20C

对比图

型号 FQP33N10 FQPF32N20C FDP4030L

描述 ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETN沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 28.0 A -

漏源极电阻 0.052 Ω 82.0 mΩ 55 mΩ

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 127 W 50 W 37.5 W

漏源极电压(Vds) 100 V 200 V 30 V

漏源击穿电压 - 200 V 30 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 28.0 A 20A

上升时间 195 ns 270 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 1150pF @25V(Vds) 2220pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 127 W 50 W -

下降时间 110 ns 210 ns 10 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 127 W 50W (Tc) -

通道数 - - 1

针脚数 3 - -

阈值电压 4 V - -

长度 10.67 mm 10.36 mm 10.67 mm

宽度 4.83 mm 4.9 mm 4.7 mm

高度 9.4 mm 16.07 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Rail, Tube Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -