对比图
描述 功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTORS PNP SILICONON SEMICONDUCTOR BD810G. 双极性晶体管
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
频率 - 1.5 MHz
额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V
额定电流 -10.0 A 10.0 A
针脚数 - 3
极性 PNP PNP, P-Channel
耗散功率 90.0 W 90 W
增益频宽积 - 1.5 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V
集电极最大允许电流 10A 10A
最小电流放大倍数(hFE) 15 @4A, 2V 15 @4A, 2V
额定功率(Max) 90 W 90 W
直流电流增益(hFE) - 15
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 90000 mW
集电极击穿电压 80.0 V -
长度 - 10.53 mm
宽度 - 4.83 mm
高度 - 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
最小包装 50 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99