FDD3682和FDD3860

对比图

型号 FDD3682 FDD3860 FDD3670

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3682  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3860  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 100 V, 0.029 ohm, 10 V, 3.8 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3670  晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.032 Ω 0.029 Ω 0.022 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 95 W 69 W 83 W

阈值电压 4 V 3.8 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 32.0 A 6.2A 34.0 A

输入电容(Ciss) 1250pF @25V(Vds) 1740pF @50V(Vds) 2490pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 95 W 3.1 W 1.6 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 95 W 3.1W (Ta), 69W (Tc) 3.8W (Ta), 83W (Tc)

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 32.0 A - 34.0 A

通道数 1 - 1

输入电容 1.25 nF - 2.49 nF

栅电荷 18.5 nC - 57.0 nC

漏源击穿电压 100 V - 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

上升时间 46 ns - 10 ns

下降时间 26 ns - 25 ns

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99