BC557BG和BC557BZL1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC557BG BC557BZL1G BC557BTA

描述 PNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  BC557BZL1G  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 320 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC557BTA  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 320 MHz 320 MHz 150 MHz

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -45.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.625 W 625 mW 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 180 @2mA, 5V 180 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 500 mW

针脚数 - 3 3

直流电流增益(hFE) - 290 200

增益频宽积 - - 150 MHz

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

长度 - 5.2 mm 4.58 mm

宽度 - 4.19 mm 3.86 mm

高度 - 5.33 mm 4.58 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Box Tape Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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