对比图
型号 IRF7401PBF NDS8425 STS6NF20V
描述 N沟道 20V 8.7APowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STS6NF20V 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mV
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -
额定电流 8.70 A 7.40 A -
漏源极电阻 0.03 Ω 0.022 Ω 0.045 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
产品系列 IRF7401 - -
阈值电压 0.7 V 890 mV 600 mV
输入电容 1600pF @15V - -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V 20.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.70 A 7.40 A 6.00 A
上升时间 72 ns - 33 ns
输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 1098pF @15V(Vds) 460pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 1 W 2.5 W
下降时间 92 ns - 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) 2500 mW
针脚数 - - 8
栅源击穿电压 - ±8.00 V ±12.0 V
长度 5 mm 4.9 mm 5 mm
高度 1.5 mm 1.575 mm 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 - 3.9 mm 4 mm
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -