FDMS8570SDC和FQP3P50

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDMS8570SDC FQP3P50 CSD16414Q5

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS8570SDC  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP3P50  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.7 A, -500 V, 4.9 ohm, -10 V, -5 VN 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 3 8

封装 DualCool-56-8 TO-220-3 VSON-Clip-8

通道数 - - 1

漏源极电阻 0.0021 Ω 4.9 Ω 0.0015 Ω

极性 N-Channel P-Channel N-Channel

耗散功率 59 W 85 W 3.2 W

阈值电压 1.5 V - 1.6 V

漏源极电压(Vds) 25 V 500 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 28A 2.70 A 100 A

上升时间 4 ns 56 ns 24 ns

输入电容(Ciss) 2825pF @13V(Vds) 660pF @25V(Vds) 3650pF @12.5V(Vds)

额定功率(Max) 3.3 W 85 W 3.2 W

下降时间 3 ns 45 ns 11.1 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 59W (Tc) 85W (Tc) 3.2W (Ta)

针脚数 8 3 -

额定电压(DC) - -500 V -

额定电流 - -2.70 A -

额定功率 - 85 W -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

长度 5.1 mm 10.1 mm 6.1 mm

宽度 5.85 mm 4.7 mm 5.1 mm

高度 1.05 mm 9.4 mm 1.05 mm

封装 DualCool-56-8 TO-220-3 VSON-Clip-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -

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