PD54003L-E和PD54003S-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD54003L-E PD54003S-E PD54003-E

描述 N沟道 增强模式 横向场效应 射频 功率晶体管RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETsRF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 3 3

封装 5X5-8 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz

额定电压(DC) 7.00 V - 25.0 V

额定电流 4 A - 4 A

极性 - - N-Channel

耗散功率 19500 mW 52.8 W 52.8 W

漏源极电压(Vds) - - 25 V

连续漏极电流(Ids) - - 4.00 A

输出功率 3 W 3 W 3 W

增益 20 dB 12 dB 12 dB

测试电流 50 mA 50 mA 50 mA

输入电容(Ciss) 54pF @7.5V(Vds) 59pF @7.5V(Vds) 59pF @7.5V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 165 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 19500 mW 52800 mW 52800 mW

额定电压 25 V 25 V 25 V

输出功率(Max) 3 W - -

漏源击穿电压 - 25 V -

封装 5X5-8 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

长度 - 7.5 mm -

宽度 - 9.4 mm -

高度 - 3.5 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 165℃ -

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