对比图
型号 STB12NM50FDT4 STW20NK50Z STD15NF10T4
描述 N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODEN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 500 V 500 V 100 V
额定电流 12.0 A 17.0 A 23.0 A
漏源极电阻 400 mΩ 0.23 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160W (Tc) 190 W 70 W
输入电容 1.00 nF 2600 pF -
栅电荷 12.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 100 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 17.0 A 23.0 A
上升时间 10.0 ns 20 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 1000pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 190 W 70 W
耗散功率(Max) 160W (Tc) 190W (Tc) 70W (Tc)
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3.75 V 3 V
下降时间 - 15 ns 17 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - 190 W -
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-252-3
长度 - 15.75 mm 6.6 mm
宽度 - 5.15 mm 6.2 mm
高度 - 20.15 mm 2.4 mm
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99