对比图
型号 STB12NM50-1 STB12NM50FD STB12NM50N
描述 N沟道500V - 0.3W - 12A TO- 220 / TO- 220FP / I PAK的MDmesh ]功率MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFETN沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET (with fast diode)STMICROELECTRONICS STB12NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
封装 I2PAK D2PAK TO-263-3
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 12A 12A 6.70 A, 11.0 A
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 11.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 380 mΩ
耗散功率 - - 100 W
阈值电压 - - 3 V
漏源击穿电压 - - 500 V
上升时间 - - 15 ns
输入电容(Ciss) - - 940pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - - 100 W
下降时间 - - 14 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
耗散功率(Max) - - 100W (Tc)
封装 I2PAK D2PAK TO-263-3
产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - - 150℃ (TJ)