对比图
型号 FDP33N25 STP50NF25 STP52N25M5
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP33N25 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 250 V, 94 mohm, 10 V, 5 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronicsN沟道250 V ， 0.055 I© ， 28 A， TO- 220 MDmeshTM V功率MOSFET N-channel 250 V, 0.055 Ω, 28 A, TO-220 MDmeshTM V Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 250 V - -
额定电流 33.0 A - -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.094 Ω 0.055 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 235 W 160 W 110 W
阈值电压 5 V 3 V -
输入电容 2.13 nF - -
栅电荷 48.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
漏源击穿电压 250 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 33.0 A 22.0 A 28A
上升时间 230 ns 26 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 2135pF @25V(Vds) 2670pF @25V(Vds) 1770pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 235 W 160 W 110 W
下降时间 120 ns 20 ns 64 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 235W (Tc) 160W (Tc) 110W (Tc)
通道数 - 1 -
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 4.83 mm 4.6 mm -
高度 9.4 mm 15.75 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -