SPD06N60C3ATMA1和SPD08N50C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPD06N60C3ATMA1 SPD08N50C3 SPD06N60C3BTMA1

描述 INFINEON  SPD06N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.68 Ω - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 74 W 83 W 74 W

阈值电压 3 V - -

漏源极电压(Vds) 600 V 560 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 6.2A 7.6A 6.20 A

上升时间 12 ns 5 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 750pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds)

下降时间 10 ns 7 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 74W (Tc) 83W (Tc) 74W (Tc)

额定电压(DC) - 560 V 650 V

额定电流 - 7.60 A 6.20 A

输入电容 - - 620 pF

栅电荷 - - 31.0 nC

额定功率(Max) - 83 W 74 W

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.41 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

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