FDP025N06和STP260N6F6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP025N06 STP260N6F6 IRLB3036GPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP025N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0019 ohm, 10 V, 3.5 VSTMICROELECTRONICS  STP260N6F6  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2 VTrans MOSFET N-CH 60V 270A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0019 Ω 0.0024 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 395 W 300 W 380 W

阈值电压 3.5 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 265A 120A -

上升时间 324 ns 165 ns -

输入电容(Ciss) 14885pF @25V(Vds) 11400pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 395 W 300 W -

下降时间 250 ns 62.6 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 395W (Tc) 300W (Tc) -

产品系列 - - IRLB3036G

长度 10.1 mm 10.4 mm -

宽度 4.7 mm 4.6 mm -

高度 15.38 mm 15.75 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

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