对比图
型号 IRFS7530TRLPBF NVB5860NT4G NVB5860NLT4G
描述 INFINEON IRFS7530TRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 195A, TO-263AB-3N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorN 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 1 - 1
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 375 W 283W (Tc) 283 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 295A 220A 220A
上升时间 141 ns 117 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 13703pF @25V(Vds) 10760pF @25V(Vds) 13216pF @25V(Vds)
下降时间 104 ns 150 ns 144 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 375 W 283W (Tc) 283W (Tc)
漏源极电阻 0.00165 Ω 3 mΩ -
漏源击穿电压 60 V 60 V -
额定功率 375 W - -
针脚数 3 - -
阈值电压 3.7 V - -
长度 10.67 mm 10.29 mm 10.29 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -