FCB11N60FTM和FCB11N60TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCB11N60FTM FCB11N60TM FCB11N60

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCB11N60TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 11.0 A 11.0 A -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 125 W 125 W 125 W

输入电容 1.49 nF - -

栅电荷 52.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A -

上升时间 98 ns 98 ns -

输入电容(Ciss) 1490pF @25V(Vds) 1490pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 125 W 125 W -

下降时间 56 ns 56 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.32 Ω 0.32 Ω

阈值电压 - 5 V 5 V

漏源击穿电压 - 600 V -

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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