MUN5137DW1T1G和RN2202

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5137DW1T1G RN2202 BCW32LT1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsMini PNP 50V 100mAON SEMICONDUCTOR  BCW32LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 6 3 3

封装 SC-88-6 In-Line SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V - 32.0 V

额定电流 -100 mA - 100 mA

针脚数 - - 3

极性 PNP PNP NPN

耗散功率 250 mW - 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 32 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW - 225 mW

直流电流增益(hFE) - - 200

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -50 ℃

耗散功率(Max) 385 mW - 225 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - -

长度 2 mm - 3.04 mm

宽度 1.25 mm - 1.4 mm

高度 0.9 mm - 1.11 mm

封装 SC-88-6 In-Line SOT-23-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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