对比图
型号 FDP047AN08A0 STP160N75F3 IRFB3207ZPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP047AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP160N75F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 75.0 V - -
额定电流 80.0 A - -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.004 Ω 3.5 mΩ 0.0041 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 310 W 330 W 300 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 6.60 nF - 6920 pF
栅电荷 92.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 75.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 60.0 A 170A
上升时间 88 ns 65 ns 68 ns
输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 6750pF @25V(Vds) 6920pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 330 W 300 W
下降时间 45 ns 15 ns 68 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 310000 mW 330W (Tc) 300000 mW
额定功率 - - 300 W
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.66 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.82 mm
高度 9.4 mm 15.75 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -