对比图
型号 MJD31T4G NJVMJD31T4G MJD31CTF
描述 NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsNPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
频率 3 MHz 3 MHz 3 MHz
额定电压(DC) 40.0 V - 100 V
额定电流 3.00 A - 3.00 A
针脚数 3 - 3
极性 NPN, PNP NPN NPN
耗散功率 15 W 1.56 W 1.56 W
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 100 V
集电极最大允许电流 3A 3A 3A
最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V
额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W
直流电流增益(hFE) 10 - 10
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1560 mW 1560 mW 15 W
增益频宽积 - - 3 MHz
集电极击穿电压 - - 100 V
长度 6.73 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.38 mm - 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99