FDB024N06和IRFS7530PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB024N06 IRFS7530PBF PSMN004-60B,118

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB024N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.5 VINFINEON  IRFS7530PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 VD2PAK N-CH 60V 75A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0018 Ω 0.00165 Ω 0.0031 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 395 W 375 W 230 W

阈值电压 3.5 V 3.7 V 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 265A 295A 75.0 A

输入电容(Ciss) 14885pF @25V(Vds) 13703pF @25V(Vds) 8300pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 395W (Tc) 375W (Tc) 230W (Tc)

额定功率(Max) 395 W - 230 W

长度 10.67 mm 10.54 mm -

宽度 9.65 mm 4.69 mm -

高度 4.83 mm 9.65 mm 4.5 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -

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