STP11NK40Z和STP5NK100Z

对比图

型号 STP11NK40Z STP5NK100Z IRF730_NL

描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3Pin (3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) 400 V 1.00 kV -

额定电流 9.00 A 3.50 A -

额定功率 110 W 125 W -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.55 Ω 3.7 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 110 W 125 W -

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 400 V 1 kV 400 V

漏源击穿电压 400 V 1.00 kV -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 3.50 A 5.5A

上升时间 20 ns 7.7 ns -

输入电容(Ciss) 930pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 110 W 125 W -

下降时间 18 ns 19 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 125W (Tc) -

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 9.15 mm 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -