对比图
型号 FDS3692 STS4NF100 SI4100DY-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3692 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 100 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 VN沟道100V - 0.065欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFETN 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC
额定电压(DC) 100 V 100 V -
额定电流 4.5 A 4.00 A -
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.05 Ω 65.0 mΩ 0.051 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 6 W
阈值电压 4 V - 2 V
输入电容 746 pF - -
栅电荷 11.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.00 A -
上升时间 26 ns 45 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 746pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds) 600pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -
下降时间 26 ns 17 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 6 W
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.55 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -