对比图
描述 达林顿功率晶体管互补 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYON SEMICONDUCTOR MJE802G. 双极晶体管STMICROELECTRONICS BD679 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-225-3 TO-225-3 TO-126-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V
额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A
极性 N-Channel NPN NPN
耗散功率 40.0 W 40 W 40 W
击穿电压(集电极-发射极) 80.0 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 4A 4A -
最小电流放大倍数(hFE) 750 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V
无卤素状态 - Halogen Free -
输出电压 - 80 V -
输出电流 - 4 A -
针脚数 - 3 3
额定功率(Max) - 40 W 40 W
直流电流增益(hFE) - 100 750
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 40000 mW 40000 mW
输入电压 - 5 V -
封装 TO-225-3 TO-225-3 TO-126-3
长度 - 7.8 mm 7.8 mm
宽度 - 2.66 mm 2.7 mm
高度 - - 10.8 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Bulk Bulk Tube
最小包装 500 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)