DDTC114EUA-7-F和DTC114TM3T5G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DDTC114EUA-7-F DTC114TM3T5G FJX3002RTF

描述 特性外延平面电路小片建设互补PNP类型有(DDTA)内置偏置电阻R1= R2无铅/ RoHS标准ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。特性•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=10KΩ,R2=10KΩ)•FJX4002R的补充

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-723-3 SOT-323-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.2 W 0.6 W 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 160 @5mA, 10V 30 @5mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 30 160 30

额定功率(Max) 200 mW 260 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 600 mW 200 mW

增益带宽 250 MHz - 250 MHz

额定功率 0.2 W - -

长度 2.2 mm 1.25 mm 2 mm

宽度 1.35 mm 0.8 mm 1.25 mm

高度 1 mm 0.55 mm 0.9 mm

封装 SOT-323-3 SOT-723-3 SOT-323-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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