BSS138NH6327XTSA2和SN7002NH6327XTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS138NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA1 BSS138N H6327

描述 INFINEON  BSS138NH6327XTSA2  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1 VInfineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002NH6327XTSA1, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装INFINEON  BSS138N H6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 3.5 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 360 mW 360mW (Ta) 360 mW

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 0.23A 0.2A -

上升时间 3 ns 3.2 ns 3 ns

输入电容(Ciss) 41pF @25V(Vds) 45pF @25V(Vds) 32pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 360 mW 360 mW -

下降时间 8.2 ns 3.6 ns 8.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 360 mW

额定功率 0.36 W - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 2.2 Ω - 3.5 Ω

阈值电压 1 V - 1 V

通道数 - - 1

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 1 mm 1 mm 1.1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99

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