对比图
型号 STP12PF06 STP55NF06 NTP2955G
描述 STMICROELECTRONICS STP12PF06 晶体管, MOSFET, P沟道, 10 A, -60 V, 0.18 ohm, 10 V, 3.4 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsON SEMICONDUCTOR NTP2955G 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 196 mohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) -60.0 V 60.0 V -60.0 V
额定电流 -12.0 A 50.0 A -12.0 A
额定功率 - 110 W -
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 180 mΩ 0.015 Ω 0.196 Ω
极性 P-Channel N-Channel P-Channel
耗散功率 60 W 30 W 2.4 W
阈值电压 3.4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 50.0 A 12.0 A
上升时间 40 ns 50 ns 41 ns
输入电容(Ciss) 850pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W 110 W 2.4 W
下降时间 10 ns 15 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60W (Tc) 110W (Tc) 2.4W (Ta), 62.5W (Tc)
输入电容 - - 700 pF
栅电荷 - - 14.0 nC
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.28 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.82 mm
高度 9.15 mm 9.15 mm 9.28 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2016/06/20
ECCN代码 - - EAR99