MTD10N10ELT4和NTD6600NT4

对比图

型号 MTD10N10ELT4 NTD6600NT4 MTD10N10EL

描述 TMOS E- FET功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount功率MOSFET的100 V， 12 A， N沟道逻辑电平的DPAK Power MOSFET 100 V, 12 A, N−Channel, Logic Level DPAKTMOS E- FET功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK-252

极性 - N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 12.0 A 10A

上升时间 74.0 ns - 74 ns

输入电容(Ciss) 1040pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds) 741pF @25V(Vds)

下降时间 - - 38 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.75W (Ta), 40W (Tc) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) 1750 mW

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 10.0 A 12.0 A -

耗散功率 1.75W (Ta), 40W (Tc) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) -

额定功率(Max) 1.75 W - -

漏源极电阻 - 118 mΩ -

输入电容 - 700 pF -

栅电荷 - 20.0 nC -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK-252

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Rail

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99 -