对比图
型号 FDS6690A IRF8707PBF STS11N3LLH5
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6690A 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 VINTERNATIONAL RECTIFIER IRF8707PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 11A, SOIC 新STMICROELECTRONICS STS11N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 12.5 mΩ 0.0119 Ω 0.0117 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.7 W
阈值电压 1.9 V 1.8 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 1205pF @15V(Vds) 760pF @15V(Vds) 724pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.7 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.7W (Tc)
产品系列 - IRF8707 -
输入电容 1.21 nF 760pF @15V -
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 11.0 A - -
栅电荷 12.0 nC - -
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
上升时间 5.00 ns - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm 5 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
宽度 4 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -