DS1225AD-150IND和DS1225AD-150IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225AD-150IND DS1225AD-150IND+ DS1225AD-70IND+

描述 IC NVSRAM 64Kbit 150NS 28DIPRAM,Maxim IntegratedMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - 28 28

时钟频率 150 GHz 150 GHz 70.0 GHz

存取时间 150 ns 150 ns 70 ns

内存容量 64000 B 64000 B 8000 B

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V

负载电容 5.00 pF - -

工作电压 - 5 V -

宽度 - 18.29 mm 18.29 mm

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

长度 - 39.37 mm -

高度 - 10.67 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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