DMP2022LSS-13和SI4403CDY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMP2022LSS-13 SI4403CDY-T1-GE3 IRF7220PBF

描述 P-沟道 20 V 13 mOhm 2.5 W 表面贴装 增强型 Mosfet - SOIC-8VISHAY  SI4403CDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mVTrans MOSFET P-CH 14V 11A 8Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.008 Ω 0.0125 Ω 12 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 5 W 2.5 W

阈值电压 770 mV - -

输入电容 2444 pF - -

漏源极电压(Vds) 20 V - -14.0 V

连续漏极电流(Ids) 10A - 11.0 A

上升时间 9.9 ns - -

输入电容(Ciss) 2444pF @10V(Vds) - -

额定功率(Max) 2.5 W - -

下降时间 76.5 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 5 W -

额定功率 - - 2.5 W

产品系列 - - IRF7220

漏源击穿电压 - - -12.0 V

长度 5.3 mm 5 mm -

宽度 4.1 mm 4 mm -

高度 1.50 mm 1.55 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active - Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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