对比图
型号 STB40N20 STP40NF20 STB40NF20
描述 N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFETSTMICROELECTRONICS STP40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 40.0 A 40.0 A 40.0 A
漏源极电阻 38.0 mΩ 0.038 Ω 0.045 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160W (Tc) 160 W 160 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 40.0 A 25.0 A, 40.0 A 25.0 A, 40.0 A
上升时间 44 ns 44 ns 44 ns
输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
下降时间 24 ns 22 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 160W (Tc) 160W (Tc)
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 - 2.50 nF 2.50 nF
栅电荷 - 75.0 nC 75.0 nC
额定功率(Max) - 160 W 160 W
通道数 - 1 -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 9.35 mm
高度 - 15.75 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99