对比图
型号 IXFH58N20 STW75NF20 MTW32N20EG
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH58N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 200 V, 40 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW75NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 V功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.04 Ω 0.028 Ω 0.075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 190 W 180 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 58.0 A 47.0 A, 75.0 A 32.0 A
上升时间 15 ns 33 ns 120 ns
输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 190 W 180 W
下降时间 16 ns 29 ns 91 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 190W (Tc) 180W (Tc)
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 58.0 A - 32.0 A
额定功率 300 W - -
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 - 15.75 mm -
宽度 - 5.15 mm 5.3 mm
高度 - 20.15 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99