对比图
型号 NTB18N06 NTB18N06LT4 NTB25P06T4G
描述 功率MOSFET 15 A， 60 V ， N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK功率MOSFET 15安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic LevelP 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -60.0 V
额定电流 15.0 A 15.0 A -25.0 A
漏源极电阻 90.0 mΩ 100 mΩ 0.07 Ω
极性 N-Channel N-Channel P-Channel
耗散功率 48.4 W 48.4W (Tc) 120 W
输入电容 450 pF - -
栅电荷 22.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±10.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 15.0 A 15.0 A 27.5 A
上升时间 25 ns 121 ns 72 ns
输入电容(Ciss) 450pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 1680pF @25V(Vds)
下降时间 13 ns - 190 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 48.4W (Tc) 48.4W (Tc) 120 W
额定功率(Max) - 48.4 W 120 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
长度 10.29 mm - 10.29 mm
宽度 9.65 mm - 9.65 mm
高度 4.83 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99