对比图
型号 IRG4BC20KD-SPBF STGB7NC60HDT4 STGB14NC60KDT4
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeSTGB7NC60H 系列 600 V 14 A N 沟道 PowerMesh IGBT - D2PAKSTGB14NC60K 系列 600 V 14 A 表面贴装 耐短路 IGBT - D2PAK
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 16.0 A 14.0 A 25.0 A
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 25 W 80000 mW
上升时间 34.0 ns 8.50 ns 8.50 ns
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 37 ns 37 ns 37 ns
额定功率(Max) 60 W 80 W 80 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 80000 mW 80000 mW
产品系列 IRG4BC20KD-S - -
输入电容 - - 760 pF
热阻 - - 62.5 ℃/W
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm - -
高度 9.65 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99