BAS85T/R和BAS85,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS85T/R BAS85,135 BAS85-GS18

描述 Schottky barrier diode - Cd max.: 10@VR=1V pF; Configuration: single ; IF max: 200mA; IFSM max: 300A; IR max: 2.3@VR=25VA; VFmax: 400DIODE SCHOTTKY 30V 200mA SOD80C小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky Diode

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 肖特基二极管TVS二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 2

封装 - Mini-MELF Mini-MELF

额定电流 200 mA - 200 mA

电容 10.0 pF - 10.0 pF

正向电压 - 800mV @100mA 800mV @100mA

反向恢复时间 - - 5 ns

正向电流 - 200 mA 100 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 600 mA

正向电压(Max) - 800mV @100mA 800 mV

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作结温 - 125℃ (Max) 125℃ (Max)

热阻 - 320℃/W (RθJA) -

正向电流(Max) - 0.2 A -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

额定电压(DC) 30.0 V - -

输出电流 ≤200 mA - -

极性 Standard - -

封装 - Mini-MELF Mini-MELF

工作温度 - -65℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 - - EAR99

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