对比图
型号 IRF7341Q STS4DNF60L IRF7341TRPBF
描述 Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8Pin SOICSTMICROELECTRONICS STS4DNF60L 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 VINTERNATIONAL RECTIFIER IRF7341TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
极性 Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
产品系列 IRF7341Q - IRF7341
漏源极电压(Vds) 55.0 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 55.0 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 5.10 A 4.00 A 4.70 A
额定电压(DC) - 60.0 V 55.0 V
额定电流 - 4.00 A 4.70 A
通道数 - 2 2
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 0.045 Ω 0.043 Ω
耗散功率 - 2.5 W 2 W
阈值电压 - 1.7 V 1 V
栅源击穿电压 - ±15.0 V -
上升时间 - 28 ns 3.20 ns
输入电容(Ciss) - 1030pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2 W 2 W
下降时间 - 10 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW -
输入电容 - - 780pF @25V
热阻 - - 62.5℃/W (RθJA)
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm -
高度 - 1.25 mm 1.5 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃