对比图
描述 N沟道 55V 2.8ASTMICROELECTRONICS STN3NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4
封装 SOT-223-4 TO-261-4
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V
额定电流 2.80 A 4.00 A
通道数 1 -
漏源极电阻 0.075 Ω 0.07 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.1 W 3.3 W
产品系列 IRFL024N -
阈值电压 4 V 3 V
输入电容 400pF @25V 315 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V
漏源击穿电压 55 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.80 A 4.00 A
上升时间 13.4 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 315pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 3.3 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 4
栅电荷 - 10.0 nC
栅源击穿电压 - ±20.0 V
下降时间 - 6 ns
耗散功率(Max) - 3.3W (Tc)
长度 6.7 mm -
高度 1.45 mm -
封装 SOT-223-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17