2N5088BU和ZTX601B

对比图

型号 2N5088BU ZTX601B 2N5088G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N5088BU  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 625 mW, 100 mA, 300 hFEZTX601 系列 160V 1A NPN 硅 平面 中等功率 达林顿晶体管 TO92ON SEMICONDUCTOR  2N5088G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 50 MHz, 625 mW, 50 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 E-Line-3 TO-226-3

频率 50 MHz - 50 MHz

额定电压(DC) 30.0 V 160 V 30.0 V

额定电流 100 mA 1.00 A 50.0 mA

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 1 W 625 mW

增益频宽积 - - 50 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 160 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 1A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 300 @100µA, 5V 10000 @500mA, 10V 300 @100µA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 900

额定功率(Max) 625 mW 1 W 625 mW

直流电流增益(hFE) 300 - 50

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 1 W 625 mW

集电极击穿电压 35.0 V - -

增益带宽 - 250 MHz -

长度 5.2 mm - 5.2 mm

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm - 5.33 mm

封装 TO-226-3 E-Line-3 TO-226-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99