对比图
型号 BC337-40RL1G BC337-40ZL1G BC33716TA
描述 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconON SEMICONDUCTOR BC337-40ZL1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 250 hFENPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
频率 210 MHz 210 MHz 100 MHz
额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V
额定电流 100 mA 800 mA 800 mA
针脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.625 W 625 mW 625 mW
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A
最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
直流电流增益(hFE) - 250 60
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
输出电压 ≤9.00 V - -
长度 - 5.2 mm 4.58 mm
宽度 - 4.19 mm 3.86 mm
高度 - 5.33 mm 4.58 mm
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Box
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99