FDP025N06和PHP52N06T,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP025N06 PHP52N06T,127 STP260N6F6

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP025N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0019 ohm, 10 V, 3.5 VTO-220AB N-CH 60V 52ASTMICROELECTRONICS  STP260N6F6  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0019 Ω - 0.0024 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 395 W 120 W 300 W

阈值电压 3.5 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 265A 52A 120A

上升时间 324 ns 74 ns 165 ns

输入电容(Ciss) 14885pF @25V(Vds) 1592pF @25V(Vds) 11400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 395 W 120 W 300 W

下降时间 250 ns 40 ns 62.6 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 395W (Tc) 120W (Tc) 300W (Tc)

长度 10.1 mm - 10.4 mm

宽度 4.7 mm - 4.6 mm

高度 15.38 mm - 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

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