FDD8647L和SUD50N04-8M8P-4GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD8647L SUD50N04-8M8P-4GE3 AUIRFR3504Z

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8647L  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 0.0071 ohm, 10 V, 2 VVISHAY  SUD50N04-8M8P-4GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 6.9 mohm, 10 V, 1.5 VTrans MOSFET N-CH 40V 77A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK Tube

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 2

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0071 Ω 0.0069 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 43 W 48.1 W 90 W

阈值电压 2 V 1.5 V 2 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

上升时间 3 ns 15 ns -

输入电容(Ciss) 1640pF @20V(Vds) 2400pF @20V(Vds) 1510pF @25V(Vds)

下降时间 2 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 43W (Tc) 48.1 W -

连续漏极电流(Ids) 14A - -

额定功率(Max) 3.1 W - 90 W

产品系列 - - AUIRFR3504Z

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

产品生命周期 Active - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2014/12/17

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